close menu

宇航级耐辐射4GB DDR4T04G72M

DDR4 Memory

宇航级耐辐射4GB DDR4T04G72M

产品概述

这款4GB 耐辐射DDR4存储器多片封装(MCP)是一个超高密度存储器解决方案,可用于嵌入式宇航系统和应用。

宇航器件的核心参数

  • 宇航认证
  • 高达NASA Level 1 (基于NASA EEE-INST-002 – Section M4 – PEMs)
  • 高达ECSS Class 1 (ECSS-Q-ST-60-13C)
  • 耐辐射
  • SEL LET 阈值 > 60.88 MeV.cm²/mg
  • SEU LET 阈值 8.19 MeV.cm²/mg 翻转截面积 @ 60.88 MeV.cm²/mg = 5.55E-12 cm²/bit
  • SEFI LET 阈值 2.6 MeV.cm²/mg SEFI 截面积 @ 60.88 MeV.cm²/mg = 2.22E-4 cm²/device
  • TID 目标 100 krad: 2020夏天发布测试结果

性能、尺寸和容错

  • 4GB; 72 bits (64 bits data + 8 bits ECC)
  • 目标2.4GT/s , 至今已验证2.1GT/s
  • 尺寸15mm x 20mm x 1.92mm

现在可提供样片

  • 机械样片: 可供
  • 工程样片: 2020年6月

订货信息

产品名 辐射性能 DDR容量 总线宽度 温度范围

封装类型

速度 (MT/s) 版本 宇航级别
DDR4 T : Rad Tol 04G : 4 Gbyte

08G : 8 Gbyte

72 : 72 bits M : -55/125C

A : -40/105C

C : 0/70C

ZR : PBGA Stacked Wire Bond (C5 Leaded)

ZS : PBGA Stacked Wire Bond (C5 RoHS)

T : 1866

1 : 2133

2 : 2400

A -N1 : Nasa Level 1

-N2 : Nasa Level 2

-N3 : Nasa Level 3

EM : 工程样片

EQM : 经过测试的工程样片

-E1 : ECSS Class 1

-E2 : ECSS Class 2

-E3 : ECSS Class 3

注释 : 现在只提供4GB的版本

  • 联系我们

    请填写以下信息,立即获取业务帮助。
  • This field is for validation purposes and should be left unchanged.