宇航级耐辐射4GB DDR4T04G72M
宇航级耐辐射4GB DDR4T04G72M
产品概述
这款4GB 耐辐射DDR4存储器多片封装(MCP)是一个超高密度存储器解决方案，可用于嵌入式宇航系统和应用。
宇航器件的核心参数
- 宇航认证
- 高达NASA Level 1 (基于NASA EEE-INST-002 – Section M4 – PEMs)
- 高达ECSS Class 1 (ECSS-Q-ST-60-13C)
- 耐辐射
- SEL LET 阈值 > 60.88 MeV.cm²/mg
- SEU LET 阈值 8.19 MeV.cm²/mg 翻转截面积 @ 60.88 MeV.cm²/mg = 5.55E-12 cm²/bit
- SEFI LET 阈值 2.6 MeV.cm²/mg SEFI 截面积 @ 60.88 MeV.cm²/mg = 2.22E-4 cm²/device
- TID 目标 100 krad: 2020夏天发布测试结果
性能、尺寸和容错
- 4GB; 72 bits (64 bits data + 8 bits ECC)
- 目标2.4GT/s , 至今已验证2.1GT/s
- 尺寸15mm x 20mm x 1.92mm
现在可提供样片
- 机械样片: 可供
- 工程样片: 2020年6月
订货信息
| 产品名 | 辐射性能 | DDR容量 | 总线宽度 | 温度范围 |
封装类型 |
速度 (MT/s) | 版本 | 宇航级别 |
| DDR4 | T : Rad Tol | 04G : 4 Gbyte
08G : 8 Gbyte |
72 : 72 bits | M : -55/125C
A : -40/105C C : 0/70C |
ZR : PBGA Stacked Wire Bond (C5 Leaded)
ZS : PBGA Stacked Wire Bond (C5 RoHS) |
T : 1866
1 : 2133 2 : 2400 |
A | -N1 : Nasa Level 1
-N2 : Nasa Level 2 -N3 : Nasa Level 3 EM : 工程样片 EQM : 经过测试的工程样片 -E1 : ECSS Class 1 -E2 : ECSS Class 2 -E3 : ECSS Class 3 |
注释 : 现在只提供4GB的版本